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156 X156 太陽(yáng)能單晶硅片
項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)生長(zhǎng)方式CZ導(dǎo)電類型P摻雜劑硼晶向〈100〉1.0邊長(zhǎng)1560.5mm直徑2000.5mm厚度20020m形狀準(zhǔn)方形電阻率1-3Ω.cm少子壽命
2011-02-25
125 X 125 單晶硅片
項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)生長(zhǎng)方式CZ導(dǎo)電類型P摻雜劑硼晶向〈100〉1.0邊長(zhǎng)1250.5mm直徑1500.5mm厚度20020m形狀準(zhǔn)方形電阻率1-3Ω.cm少子壽命
2011-02-25
156 X156 多晶硅片
項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)電類型P摻雜劑硼邊長(zhǎng)1560.5mm形狀方形電阻率0.5-3Ω.cm少子壽命2s氧含量11018atoms/cm3碳含量81017atoms/cm3翹曲
2011-02-25
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