來自日本東京工業(yè)大學和早稻田大學的一個研究小組已經開發(fā)出一種生產薄膜單晶硅太陽能電池的新技術，該技術有望顯著降低生產成本，同時保持電池的轉化效率。

科學家聲稱他們能夠開發(fā)出高質量薄膜單晶硅，厚度約10μm，晶體缺陷密度也有所降低。硅的密度已經降低到了硅晶圓純度的水平。

研究小組解釋說，具有高結晶質量的單晶薄膜是通過區(qū)域加熱重結晶法(ZHR法)使硅片表面粗糙度達到0.2至0.3nm而獲得的。“使用雙層多孔硅層可以容易地剝離生長的薄膜，而且得到的基底可以被再利用或者用作薄膜生長的蒸發(fā)源，這大大減少了材料的損耗。”

據(jù)科學家介紹，這一實驗過程同時還證明了在0.1-0.2nm范圍內的硅片表面粗糙度對晶體缺陷密度的形成具有重要的影響。