2020年11月04日，中來股份助理總經理陳嘉博士主持CSPV分論壇，并以本場主題“24%+效率 N 型TOPCon 技術發(fā)展及量產化應用”展開話題，向大家詳細介紹了中來股份在N 型TOPCon 技術上的最新研究成果。

陳嘉博士介紹到：“N型TOPCon的極限效率可達28.7%，比PERC, HIT技術更接近晶硅極限水平，非常具有發(fā)展?jié)摿?，這也是中來一直專注于N型TOPCon技術研發(fā)的原因。中來TOPCon第一代產品基于LPCVD技術，電池平均效率達到23.85%；而新一代J-TOPCon 2.0技術基于無繞度、原位摻雜等技術，電池平均效率更是高達24.1%。”

關于J-TOPCon 2.0技術，陳博士表示，“中來新一代J-TOPCon 2.0技術為解決N 型 TOPCon光伏產品量產瓶頸問題，與江蘇杰太光電技術有限公司合作，利用其獨創(chuàng)的線性等離子源技術，共同開發(fā)了一套全新的等離子氧化和等離子輔助的原位摻雜鍍膜工藝（簡稱POPAID）。POPAID利用鏈式平臺傳輸載板， 能夠在不破真空情況下同時完成氧化和非晶硅摻雜，并且可以避免繞鍍。這一創(chuàng)新將現有TOPCon工藝的12道工序縮減成9道，不僅可以提升效率和良率，還使成本上有了大幅降低。”

POPAID的成功意味著很多，陳博士深有體會：“POPAID是一項偉大的創(chuàng)造，它實現了多項創(chuàng)新工藝，其中等離子氧化硅的形成（PO）對表面沒有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍，真正實現了亞納米鍍膜工藝控制。和常規(guī)高溫氧化相比，隧穿鈍化效果更加優(yōu)越。達到了Voc 和FF的同時提升的效果，均勻性更佳。對于摻雜非晶硅鍍膜（PAID），該設備采用等離子強化的鍍膜工藝，實現摻雜的非晶硅膜沉積，退火后摻雜濃度可實現高達4x1020原子/CM3，是常規(guī)離子注入濃度的一倍以上。經整合兩道工藝后，TOPCon電池效率超過常規(guī)離子注入0.2%以上，從開路電壓（Voc），填充因子（FF）都能增加。良率也提高了2%。我們所做的一切努力都是為了推動N 型 TOPCon 技術的快速發(fā)展和量產化應用，我們也非常愿意跟同行分享最新研發(fā)成果，共同推動能源改革，為習主席提出的爭取2060年前實現碳中和的偉大目標而努力。”

憑借這些年在N 型 TOPCon 技術研發(fā)上的巨大投入，中來股份一直在推動著N 型 TOPCon 技術的不斷發(fā)展及量產化應用，目前已經具備2.4GW的N 型 TOPCon電池和組件的產能，已經成為全球最大的N 型 TOPCon電池和組件制造商。