對(duì)于當(dāng)今半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)業(yè)提高成品率和降低成本的要求來(lái)說(shuō)，自動(dòng)晶圓檢測(cè)無(wú)疑是非常關(guān)鍵的。技術(shù)進(jìn)步和量產(chǎn)擴(kuò)展都推動(dòng)了手工視覺(jué)檢測(cè)向快速、強(qiáng)大、可靠和重復(fù)性好的自動(dòng)檢測(cè)和分析系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換。

　　在裸晶圓和帶有器件晶圓應(yīng)用領(lǐng)域，這種需求都不斷催生了很多新的檢查方法。當(dāng)前工藝中，不僅需要檢測(cè)晶圓的正面，而且晶圓的邊緣、斜角、背面和晶圓體也都需要進(jìn)行檢測(cè)。像平坦度和納米表面起伏這樣更加嚴(yán)格的檢驗(yàn)規(guī)范也要求采用新的、成本更低的檢測(cè)方法。

　　一個(gè)明顯的例子是邊緣和斜角檢測(cè)，近年來(lái)該檢測(cè)項(xiàng)目已經(jīng)成為裸晶圓制造質(zhì)量控制的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。甚至在應(yīng)用范圍更廣泛的帶有器件的晶圓中，像邊緣微粒、迸裂/裂紋、薄膜翹起/薄片、CMP漿料殘留等產(chǎn)品監(jiān)控項(xiàng)目都得到了更多的關(guān)注。隨著晶圓廠(chǎng)向更新的技術(shù)代推進(jìn)，以及采用像浸沒(méi)式光刻這樣的新工藝，上述的常見(jiàn)缺陷都變得更加關(guān)鍵。

       
　　隨著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)和前進(jìn)，對(duì)自動(dòng)檢測(cè)和測(cè)量設(shè)備的需求也會(huì)隨之增長(zhǎng)。我們期待同中國(guó)的客戶(hù)更加密切地合作，向他們提供最有效、最低成本的解決方案。