浙江中科院應(yīng)用技術(shù)研究院嘉興微電子設(shè)備與儀器工程中心夏洋帶領(lǐng)的微電子儀器與設(shè)備創(chuàng)新團隊，在晶硅太陽能電池表面鈍化技術(shù)的研究中取得新進展。該創(chuàng)新團隊利用自主設(shè)計生產(chǎn)的KMT-200A型原子層沉積設(shè)備，在p型單晶硅片上生長氧化鋁鈍化層，退火后平均少子壽命可達1ms，有效減少了硅片表面復合，具有優(yōu)秀的表面鈍化效果。

目前，微電子儀器與設(shè)備創(chuàng)新團隊以技術(shù)優(yōu)勢，吸引美國硅谷研究團隊來嘉興開展原子層技術(shù)合作，強強聯(lián)合，加快了國內(nèi)開發(fā)原子層沉積設(shè)備的研制和在嘉興市的產(chǎn)業(yè)化，推出了一系列的擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和創(chuàng)新的原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品，包括熱型設(shè)備、等離子體增強型設(shè)備和適于光伏產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的批量型設(shè)備，實現(xiàn)了國產(chǎn)原子層沉積設(shè)備在光伏產(chǎn)業(yè)首創(chuàng)應(yīng)用的新局面，為下一代高效晶硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了國產(chǎn)化設(shè)備支撐。

原子層沉積技術(shù)是一種有序的氣相薄膜生長技術(shù)，具有良好的保形性、均勻性和高的臺階覆蓋率，通過原子層沉積氧化鋁薄膜對硅片表面進行鈍化，可以大幅度提高太陽能電池效率，被業(yè)界普遍認為是未來新一代晶硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展的重要趨勢。