大型功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體公司3月宣布，將銷售采用新一代半導(dǎo)體元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）“SCT30N120”。新產(chǎn)品的工作溫度為200℃，達(dá)到業(yè)界最高水平，耐壓實(shí)現(xiàn)了1200伏。計(jì)劃用于光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器（PCS）等。

功率半導(dǎo)體元件采用SiC的優(yōu)點(diǎn)是，與以往的硅（Si）功率半導(dǎo)體元件相比，可降低能量損失。意法半導(dǎo)體稱，最少可降低50％。

此次的高耐壓SiC功率MOSFET將在光伏發(fā)電用PCS中取代以往的硅IGBT（絕緣柵雙極晶體管）。其作用是將太陽(yáng)能電池板發(fā)電的直流電轉(zhuǎn)換成高電壓的交流電。

與硅IGBT相比，其優(yōu)點(diǎn)包括無(wú)需使用專用驅(qū)動(dòng)電路即可轉(zhuǎn)換；能以更高的頻率工作，可削減PCS功率單元內(nèi)其他部件的尺寸。由此，可實(shí)現(xiàn)PCS功率單元的低成本化和小型化，還能提高轉(zhuǎn)換效率。

新產(chǎn)品目前正在樣品供貨，預(yù)定6月開(kāi)始量產(chǎn)。采用為提高溫度特性而自主開(kāi)發(fā)的HiP247封裝。批量購(gòu)買1000個(gè)時(shí)的價(jià)格約為35美元。

日本國(guó)內(nèi)外的廠商都在開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體元件采用SiC的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。今后，如果價(jià)格能降低，除了控制馬達(dá)的逆變器外，還有望得到光伏發(fā)電用PCS的全面采用。