意法半導體推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝槽式場截止（trench-gate field-stop）技術(shù)為特色，可最大幅度地降低電壓過沖，消除關(guān)機期間常出現(xiàn)的振蕩現(xiàn)象，有效提升太陽能逆變器、焊接設備、不斷電系統(tǒng)與工業(yè)馬達驅(qū)動器等多項應用的能效與可靠性。



高度優(yōu)化的傳導性與關(guān)斷性以及低導通耗損，讓全新進化的IGBT特別適合用于執(zhí)行頻率高達20kHz的硬式開關(guān)電路；可承受的最高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍無鎖定效應，150°C時的短路耐受時間為10µs。

同時，低飽和電壓可確保新產(chǎn)品具有很高的傳導效率、正溫度系數(shù)與窄飽和電壓范圍可簡化新產(chǎn)品的平行設計，有助于提高功率處理性能。此外，新產(chǎn)品與IGBT反向平行的新一代二極管一同封裝，帶來快速的恢復時間和更佳的軟度回復特性且不會使導通耗損明顯上升，進而實現(xiàn)更出色的EMI性能表現(xiàn)。