5月22日,保利協(xié)鑫切片事業(yè)部副總裁金善明在參加“多晶金剛線切與黑硅技術論壇”時發(fā)表題為《多晶硅片金剛線切割技術最新進展》報告,分析介紹了多晶硅片金剛線切割技術的優(yōu)勢和挑戰(zhàn),指出黑硅技術有望成為金剛線切多晶技術真正走向量產(chǎn)的“出海口”。
金善明表示,從成本角度來看,大規(guī)模應用金剛線切割是晶體硅光伏的大勢所趨,但在多晶領域進展仍比較緩慢。從目前小規(guī)模量產(chǎn)的情況看,金剛線切多晶有著多項明顯優(yōu)勢。其中,切割效率可提升20%-40%,切割成本可降低20%是其最主要的貢獻。此外,金剛線切割的多晶片還具有表面損傷少、潔凈度高、幾何參數(shù)優(yōu)、機械不良率低等特點,切割過程也更加環(huán)保,品質控制更加優(yōu)秀。樹脂線切多晶硅片量產(chǎn)技術的成功研發(fā),也順利解決了斷線、切割臺速低、碎片率高等問題。
針對金剛線切多晶硅片表面損傷層淺、反射率高等問題,黑硅技術可以解決硅片的絨面難題,并大幅提升電池端轉化效率。以濕法黑硅技術為例,從批量實驗片數(shù)據(jù)來看,電池效率可提升0.2%以上。而等離子刻蝕技術則可以提升0.5%以上。金善明進一步指出,將黑硅絨面的多晶硅片集成PERC技術后,可實現(xiàn)“1+1>2”的效果,帶來更大的電池性能增益。
金善明表示,從成本角度來看,大規(guī)模應用金剛線切割是晶體硅光伏的大勢所趨,但在多晶領域進展仍比較緩慢。從目前小規(guī)模量產(chǎn)的情況看,金剛線切多晶有著多項明顯優(yōu)勢。其中,切割效率可提升20%-40%,切割成本可降低20%是其最主要的貢獻。此外,金剛線切割的多晶片還具有表面損傷少、潔凈度高、幾何參數(shù)優(yōu)、機械不良率低等特點,切割過程也更加環(huán)保,品質控制更加優(yōu)秀。樹脂線切多晶硅片量產(chǎn)技術的成功研發(fā),也順利解決了斷線、切割臺速低、碎片率高等問題。
針對金剛線切多晶硅片表面損傷層淺、反射率高等問題,黑硅技術可以解決硅片的絨面難題,并大幅提升電池端轉化效率。以濕法黑硅技術為例,從批量實驗片數(shù)據(jù)來看,電池效率可提升0.2%以上。而等離子刻蝕技術則可以提升0.5%以上。金善明進一步指出,將黑硅絨面的多晶硅片集成PERC技術后,可實現(xiàn)“1+1>2”的效果,帶來更大的電池性能增益。