法國(guó)馬錫--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Alchimer有限公司（Alchimer S.A.）是半導(dǎo)體互連部件和三維硅通孔（TSV）納米薄膜沉積技術(shù)的領(lǐng)先提供商。公司今天宣布，在硅通孔的形成方面取得了一項(xiàng)突破性的進(jìn)展，可免去傳統(tǒng)金屬化步驟之中的一步操作。

　　Alchimer公司的最新產(chǎn)品AquiVia XS可消除標(biāo)準(zhǔn)的絕緣-阻擋-晶種工藝流程中晶種層步驟，從而可以在涂敷了阻擋層之后直接進(jìn)行體填充（bulk fill）。新產(chǎn)品也是第一套支持鎳金屬化和銅金屬化的沉積解決方案。

　　Alchimer公司首席執(zhí)行官Steve Lerner說(shuō)，“AquiVia產(chǎn)品系列的這一新成員擴(kuò)大了我們的市場(chǎng)，給客戶提供了寶貴的戰(zhàn)略性選擇，也拉大了Alchimer解決方案與傳統(tǒng)干法沉積工藝之間在擁有成本上的差距。芯片制造業(yè)的客戶需要跟上市場(chǎng)對(duì)垂直集成設(shè)備快速擴(kuò)大的需求，而AquiVia XS解決方案可以同時(shí)兼顧薄膜質(zhì)量、廣泛適用性和成本優(yōu)勢(shì)，這在從前是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。”

　　對(duì)典型的 5 x 50 μm硅通孔進(jìn)行擁有成本分析，結(jié)果顯示，與傳統(tǒng)的干法工藝堆疊相比，采用AquiVia工藝，擁有成本可降低80%。

　　與AquiVia工藝類似，AquiVia XS能夠利用現(xiàn)有的鍍覆設(shè)備實(shí)現(xiàn)鍍層的沉積，因此，硅通孔金屬化制程完全不必再使用各類干法工藝技術(shù)。因此，孔堆疊金屬化工藝的擁有成本最高可降低80%。采用這兩種產(chǎn)品，在20：1及更高深寬比的硅通孔上就可以形成臺(tái)階覆蓋性和一致性優(yōu)良的鍍覆層，即使是采用DRIE/Bosch工藝產(chǎn)生的十分明顯的扇形（scalloped）硅通孔腐蝕斷面也同樣適用。

　　可立即進(jìn)行AquiVia XS的演示和授權(quán)許可。

　　更詳細(xì)的擁有成本數(shù)據(jù)以及利用AquiVia XS工藝生成的薄膜的圖像可在下列網(wǎng)址查閱：kathy.cook@alchimer.com

　　或者

　　Sarah-Lyle Dampoux

　　Loomis Group

　　電話：+33 1 58 18 59 30

　　dampouxs@loomisgroup.com

　　或者

　　SangSok (s.s.) Lee

　　Lenix Technology公司

　　韓國(guó)

　　電話：+82-31-919-5561

　　sslee@lenix.co.kr

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　　長(zhǎng)瀨產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社

　　電話：81-3-3665-3747

　　Masato Shimura

　　masato.shimura@nagase.co.jp

　　Yoshinori Oba

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