今日，1366宣布直接硅片制造技術(shù)性能再創(chuàng)新高，其與韓華Q CELLS合作實現(xiàn)了19.9%的電池轉(zhuǎn)換效率。該結(jié)果得到了德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所光伏校準實驗室（Fraunhofer ISE CalLab）的獨立確認。這表明1366科技的直接法硅片與韓華Q CELLS的Q.ANTUM背鈍化技術(shù)取得了快速的效率提升。

“我們效率提升的速率幾乎是行業(yè)平均的兩倍。去年底，在同條件的對比測試中，直接硅片的效率超過了高效多晶參考組。這一最新效率充分證明了1366科技的技術(shù)繼續(xù)快速提升效率的可能性，因為直接硅片工藝打破了鑄錠切片技術(shù)的局限。”1366科技首席執(zhí)行官弗蘭克·范·米爾洛（Frank van Mierlo）說。


據(jù)悉，相比于高效多晶產(chǎn)品，1366科技的技術(shù)路線圖清晰地展示了直接硅片產(chǎn)品不僅可以使成本更低，而且能讓其電池轉(zhuǎn)化效率明顯提高。更高的效率來自于其特有的制造工藝。

• 高純的生長環(huán)境：直接硅片工藝采用的熱場材料潔凈度遠高于定向凝固鑄錠中使用的坩堝和涂層。硅錠在其熔點附近超過1天的時間，會使得坩堝和涂層中的雜質(zhì)向硅錠擴散。1366科技的工藝避免了擴散污染的產(chǎn)生。
• 更好的微觀結(jié)構(gòu)：多晶生長過程中產(chǎn)生的位錯極大地影響了硅片品質(zhì)。而直接生長工藝在同等條件下每次生長一片硅片，可避免位錯的產(chǎn)生，讓硅片更加均勻和高效。
• 摻雜濃度漸變：改變摻雜體在硅片正反兩面的濃度，在硅片內(nèi)形成摻雜濃度的漸變，可以使電子的收集更加有效，促進效率提升。無需增加成本而操控摻雜濃度是普通切片工藝（無論多晶還是單晶）均無法實現(xiàn)的。