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PVTIME國(guó)際站
日期:2013-09-22 瀏覽:
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評(píng)論:0
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事件關(guān)注
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國(guó)產(chǎn)光伏逆變器IGBT之路
圖片報(bào)道
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IGBT新聞
09-26
英飛凌推出EconoPACK+D系列功率半導(dǎo)體模塊 為風(fēng)力及太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)傳動(dòng)裝置打造
09-26
英飛凌XE166在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的應(yīng)用
09-26
英飛凌,艾索加大供應(yīng)鏈整合力度
09-26
英飛凌推出采用直驅(qū)技術(shù)的革命性CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件:讓太陽(yáng)能逆變
09-26
英飛凌科技和陽(yáng)光電源聯(lián)手加強(qiáng)新能源領(lǐng)域技術(shù)合作
09-22
我國(guó)風(fēng)能、光伏發(fā)電核心裝置在中國(guó)北車研制成功
09-22
采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)的500W太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)
09-22
三菱電機(jī)收購(gòu)歐洲太陽(yáng)能發(fā)電IGBT模塊企業(yè)
09-22
英飛凌(北京)的大功率IGBT組件年產(chǎn)能將達(dá)5000套
09-22
賽米控推出最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊 適用于太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)
09-22
三菱電機(jī)在PCIM 2011展上推介最新的Smart-1系列IGBT模塊
09-22
Diodes 40V 閘極驅(qū)動(dòng)器減少 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗
09-22
東京電子器件開(kāi)始在中國(guó)銷售IGBT柵極驅(qū)動(dòng)板,適于風(fēng)力及太陽(yáng)能發(fā)電等大功率用途
09-22
瑞薩第七代IGBT產(chǎn)品適用于太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備
09-22
科華恒盛IGBT不間斷電源項(xiàng)目順利完工 將推動(dòng)中國(guó)UPS產(chǎn)業(yè)的綠色環(huán)保
09-22
光伏逆變器核心部件IGBT產(chǎn)業(yè)化建設(shè)工程主體混凝土封頂按期完成
09-22
日本東芝擴(kuò)充通用及工業(yè)用分立IGBT陣容
09-22
日本TED推出適用于大型光伏發(fā)電設(shè)備的IGBT驅(qū)動(dòng)板
09-22
英飛凌展示可滿足客戶高要求的性能一流的IGBT 650V TRENCHSTOP?5
09-22
中國(guó)北車大功率IGBT產(chǎn)品交付瑞士ABB公司
09-22
“北車設(shè)計(jì)”中國(guó)首件自主設(shè)計(jì)高壓IGBT芯片通過(guò)鑒定
09-22
中國(guó)南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目首批設(shè)備順利入場(chǎng)
09-22
國(guó)產(chǎn)IGBT前景光明,突破之路曲折
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IGBT資料
09-22
如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT
09-22
500kW光伏逆變器功率單元介紹
09-22
采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)的500W太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)
09-22
基于IGBT并聯(lián)技術(shù)的250kW光伏并網(wǎng)逆變器
09-22
基于光伏系統(tǒng)IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究
09-22
IGBT在光伏發(fā)電中的應(yīng)用
09-22
英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)培訓(xùn)資料
隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展,IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用,成為未來(lái)10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國(guó)市場(chǎng),軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場(chǎng)。據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策,2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。2011年IGBT銷售額將達(dá)到8.59億美元,2015年有望達(dá)到13億美元。與其它MOSFET等其它分立功率元件相比,中國(guó)IGBT銷售額增長(zhǎng)強(qiáng)勁。
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