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為深入貫徹落實科學發(fā)展觀，引導光伏制造行業(yè)加快轉型升級，推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國務院《關于促進光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》（國發(fā)[2013]24號）和國家有關法律法規(guī)及產(chǎn)業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調(diào)整結構、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應用的原則，特制定光伏制造行業(yè)規(guī)范條件。
一、生產(chǎn)布局與項目設立# R# i2 g8 J& q/ h* D3 J) T
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?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)及項目應符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護規(guī)劃等要求。
?。ǘ┰趪曳煞ㄒ?guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準的基本農(nóng)田保護區(qū)、飲用水水源保護區(qū)、自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、重要生態(tài)功能保護區(qū)和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設光伏制造項目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應逐步遷出。- @% z, M+ o+ T& j
?。ㄈ﹪栏窨刂菩律蠁渭償U大產(chǎn)能的光伏制造項目。對加強技術創(chuàng)新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴建項目，報行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。5 O4 J% t. b1 H& d* k: r3 J! V
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二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術; l# w4 \$ { }$ e L$ f
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應采用工藝先進、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術和設備。
?。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應具備以下條件：在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產(chǎn)品獨立生產(chǎn)、供應和售后服務能力；具有省級以上獨立研發(fā)機構、技術中心或高新技術企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報符合規(guī)范名單時上一年實際產(chǎn)量不低于本條第+ P9 R5 X( I' B
（三）款產(chǎn)能要求的50%。& C' u, z5 L. H |* T9 ]7 `
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點評：要求年銷售額至少超過3.3億，按現(xiàn)在的價值相當于80MW組件，140MW的電池，6000萬張多晶硅片。
% [ H3 l. k2 Y6 O% g
?。ㄈ┕夥圃炱髽I(yè)按產(chǎn)品類型應分別滿足以下要求：
& O5 M% Z/ K4 c: z5 u/ P
1.多晶硅項目每期規(guī)模大于3000噸/年；
0 O8 z R% K S, O& f/ b* {
2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；
6 D& S0 m) j& u+ V* r: G
3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；" q. c% a# s" T) d* F7 B
4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片；; U! x' w! f% p% z, r! c
5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；
" C) N/ s( r( A, F
6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；
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7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。
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點評：這些標準都是入門級的標準，在當前全球80GW的總產(chǎn)能，50GW有效產(chǎn)能，30GW的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)能，5-10GW的領先產(chǎn)能，而市場只有40GW的需求量，注定一批小規(guī)模，無技術的企業(yè)是很難存活下去的。
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即便剛剛達到這7條標準的企業(yè)，生存也非常困難。9 @" C. u/ g1 t
?。ㄋ模┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：
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1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；
2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于10和18PPMA；! x1 @8 I7 i- r! @% g
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于16%和17%；; o2 V, k0 Y7 n- Q$ n- U8 t
/ S% e) |2 T/ Y3 }3 Q. q6 F8 |
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于14.5%和15.5%；/ M+ f( S" e& p/ b( u2 ]
5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。
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點評：就目前在開的產(chǎn)能來看，這些都是入門級的標準，多晶硅電池低于16%和單晶硅電池低于17%的電池產(chǎn)品已經(jīng)屬于低劣片，相當一部份是以廢品而論公斤售賣。
4 [1 E+ y( h: Z# Y# p
而組件轉換低于14.5%和15.5%多晶和單晶在市場上屬于少數(shù)產(chǎn)品，隨著充斥垃圾產(chǎn)品的“金太陽”項目的結束，這類產(chǎn)品將自動被市場淘汰。
?。ㄎ澹┬陆ê透臄U建企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：: }* Y# i% V0 H1 M; M2 q) R
1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；& y/ X2 y6 D9 K V+ i
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2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18%和20%；5 |5 Z. y5 K9 f7 D9 p6 N+ D; P& l
/ r" q b. V) M
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。
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對于新建設的電池產(chǎn)線，18%和20%的多單晶的要求很正常，截止到2013年8月份市場上的主流多晶轉換已經(jīng)來到了17.5%左右，目前技術還將以每季度提升0.1%的速度提升，即便現(xiàn)在擴產(chǎn)新建，考慮一年左右的建設時期，明年的主流行業(yè)標準都將進入18%以上的水平。單晶20%以上技術目前國內(nèi)還是鮮有幾家企業(yè)可以大批量生產(chǎn)的。1 q! d" E' }3 Z5 z; c( D+ S4 L; Q
) }+ C# _) K( b$ B" i3 H7 k! @
組件的轉換效率相對而言是比較高的，多晶16.5%和單晶17.5%，以主流的60片156*156的電池片而言，其組件W數(shù)分別要達到270W和285W，目前國內(nèi)無任何一個大廠可以大批量生產(chǎn)?？梢姽ば挪繉π峦懂a(chǎn)的組件要求是非常高的，這就要求各企業(yè)除了對電池提升效率外，還要對邊框的使用和封裝技術的選擇以及增透膜等技術下苦功夫。
?。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率在2年內(nèi)分別不高于3.2%和4.2%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在2年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。* q0 H' K' v, z6 x' A1 T5 Y
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三、資源綜合利用及能耗3 B& A5 a* M5 ]* p4 r# O
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節(jié)約集約用地。) q3 p) I5 b. V
( B/ _- Z& m; E0 [$ T6 |, O
?。ǘ┕夥圃祉椖磕芎膽獫M足以下要求：0 ]' B6 T+ S, \# ~: [
1.現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于80千瓦時/千克，綜合電耗小于140千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于60千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；
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2.現(xiàn)有硅錠項目平均綜合能耗小于9千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克；7 @( `4 u! y" k% M7 u
3.現(xiàn)有硅棒項目平均綜合能耗小于50千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于45千瓦時/千克；# [7 \% ^# b0 G% c- ^5 a/ n
; J; A$ `6 ~$ z8 t
4.現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合能耗小于60萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于55萬千瓦時/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片；6 `. x% h: M) B+ v) }
5.電池項目平均綜合能耗小于15萬千瓦時/ MWp；7 H0 x6 ^* y2 ~. g% Y
& n3 ~; k$ q0 y8 s
6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于8萬千瓦時/ MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。4 o+ u- j, g" e, M6 @
- ?+ p2 l" |# k4 _4 H' A
（三）光伏制造項目生產(chǎn)水耗應滿足以下要求：
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1.多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%；
2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片；
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3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。
' _: K/ M: H( G; Q
?。ㄋ模┢渌a(chǎn)單耗需滿足國家相關標準。8 q+ K: P0 k; [3 v# g4 k0 i
' e5 X9 i5 N2 X( O2 K' r: ~/ j( S7 l
點評：這些都是一些現(xiàn)有的入門的標準，能耗高于此標準的在市場上根本無法生存，即便將一些老舊產(chǎn)線遷移到電價便宜的新疆內(nèi)蒙也無多少市場競爭力。3 f. u2 t( Q5 Z( ?2 c& J. `
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四、環(huán)境保護0 ?" o1 f; D, M& R: K3 p6 {
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?。ㄒ唬┬陆ê透臄U建光伏制造項目應嚴格執(zhí)行環(huán)境影響評價制度，未通過環(huán)境影響評價審批的項目不得開工建設。按照環(huán)境保護“三同時”要求，項目配套建設環(huán)境保護設施應依法申請項目竣工環(huán)境保護驗收，驗收合格后方可投入生產(chǎn)運行。企業(yè)應有健全的企業(yè)環(huán)境管理機構，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，定期開展清潔生產(chǎn)審核。
2 y8 z- {" x u5 q* D/ d Z4 ~0 U
?。ǘU氣、廢水排放應符合國家和地方大氣及水污染物排放標準和總量控制要求；惡臭污染物排放應符合《惡臭污染物排放標準》（GB14554），對產(chǎn)生的工業(yè)固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用，應符合《危險廢物貯存污染控制標準》（GB18597）和《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標準》（GB18559）相關要求，SiCl4等危險廢物應委托具備相應處理能力的有資質(zhì)單位進行妥善處置；廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準》（GB12348）。
?。ㄈ┕膭钇髽I(yè)通過ISO14001環(huán)境管理體系認證、ISO14064溫室氣體核證、PAS2050/ISO14067碳足跡認證。' ~ g* Q% W' S) O" ^
?。ㄋ模┕夥圃祉椖繎凑窄h(huán)境影響報告書（表）及其批復、國家或地方污染物排放（控制）標準、環(huán)境監(jiān)測技術規(guī)范的要求，制定自行監(jiān)測方案，開展自行監(jiān)測工作，公開自行監(jiān)測信息。% X |. J" e- h3 M R1 a9 h" j
五、質(zhì)量管理" a2 x& z! }! v9 w( l% Y
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?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應建立完善的質(zhì)量管理體系，配備質(zhì)量檢驗機構和專職檢驗人員。電池及電池組件生產(chǎn)企業(yè)應配備AAA級太陽模擬器、高低溫環(huán)境試驗箱等關鍵檢測設備，鼓勵企業(yè)建設具備CNAS認可資質(zhì)的實驗室。) {( |8 h- O3 h: V+ b
7 @- F, h9 I7 y$ [5 a
?。ǘ┕夥a(chǎn)品質(zhì)量應符合國家相關標準，通過國家批準相關認證機構的認證。
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（三）企業(yè)應通過ISO9001質(zhì)量管理體系認證，組件使用壽命不低于25年，質(zhì)保期不少于10年。' P8 e9 g( y! r& S z6 Q- @8 K
（四）企業(yè)應建立相應的產(chǎn)品可追溯制度。
點評：根據(jù)對國外80年代生產(chǎn)的組件產(chǎn)品進行檢測，進行過良好過程控制的產(chǎn)品達到25年的質(zhì)保是沒有問題的。9 q# S w1 Z0 T, j# q! X6 D& h
% ~+ i+ \' K6 \- Z
六、安全、衛(wèi)生和社會責任
?。ㄒ唬┕夥圃祉椖繎攪栏褡裱殬I(yè)病危害防護設施和安全設施“三同時”制度要求。企業(yè)應當遵守《安全生產(chǎn)法》、《職業(yè)病防治法》等法律法規(guī)，執(zhí)行保障安全生產(chǎn)的國家標準或行業(yè)標準，在申報規(guī)范名單當年及上一年度未發(fā)生較大及以上生產(chǎn)安全事故。
?。ǘ┢髽I(yè)應當建立健全安全生產(chǎn)責任制，加強職工安全生產(chǎn)教育培訓和隱患排查治理工作，開展安全生產(chǎn)標準化建設并達到三級以上。
0 V8 t: u9 W; J$ E, b. w
?。ㄈ┢髽I(yè)應當依法落實職業(yè)病危害防治措施，對重大危險源有檢測、評估、監(jiān)控措施和應急預案，并配備必要的器材和設備。! q$ g! V$ b5 k! \, U2 a0 q
6 S6 E: ~0 {8 O! h) s
?。ㄋ模┢髽I(yè)應當遵守國家相關法律法規(guī)，依法參加養(yǎng)老、失業(yè)、醫(yī)療、工傷等各類保險，并為從業(yè)人員足額繳納相關保險費用。6 X* @' i; | |$ ]5 F) v
七、監(jiān)督與管理
7 ~" p; @: m- @$ s
?。ㄒ唬┬陆ê透臄U建光伏制造企業(yè)及項目應當符合本規(guī)范條件要求。6 o) N0 Z3 S _/ F+ C
（二）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目應當符合本規(guī)范條件要求，未滿足規(guī)范條件要求的企業(yè)及項目根據(jù)產(chǎn)業(yè)轉型升級的要求，在國家產(chǎn)業(yè)政策的指導下，通過兼并重組、技術改造等方式，盡快達到本規(guī)范條件的要求。
點評：意見稿為技術改造留了一條口子，一批老舊設備產(chǎn)能通過技改挖潛后，在市場上還是有一定競爭力的。: D8 [( c5 L# s( V9 e/ a) v
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比如，單晶爐的多次投料技術，多晶爐的G5改G6，切片機的砂線液改金剛石等等。9 e; ?+ e$ ^2 ~! F% l
?。ㄈ夥圃炱髽I(yè)及項目的投資、土地供應、環(huán)評、節(jié)能評估、質(zhì)量監(jiān)督、安全監(jiān)管、信貸授信等管理應依據(jù)本規(guī)范條件。不符合本規(guī)范條件的企業(yè)及項目，其產(chǎn)品不得享受出口退稅、國內(nèi)應用扶持等政策支持。+ ]4 n5 K# o5 r! ~% t! u
?。ㄋ模┕夥圃炱髽I(yè)應對照規(guī)范條件編制相關申報材料，通過省級工業(yè)和信息化主管部門報送工業(yè)和信息化部。各級工業(yè)和信息化主管部門會同有關部門對當?shù)毓夥圃炱髽I(yè)執(zhí)行本規(guī)范條件的情況進行監(jiān)督檢查。工業(yè)和信息化部組織行業(yè)機構、檢測機構對企業(yè)進行檢查，定期公告符合本規(guī)范條件的企業(yè)名單，并會同有關部門組織行業(yè)機構、檢測機構從市場上對已公告企業(yè)產(chǎn)品等進行抽查，實行社會監(jiān)督、動態(tài)管理。' ? i( [& i/ z- C9 g
% k: f, p- t* F; v# _. v: h$ Y
（五）公告企業(yè)有下列情況，將撤銷其公告資格：
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1.填報資料有弄虛作假行為；0 B4 y% D% U5 S9 Y. u
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2.拒絕接受監(jiān)督檢查；; J0 Q, I6 a, H, J6 \
3.不能保持規(guī)范條件要求；
4.發(fā)生重大安全和污染責任事故；" b& i- K2 ]$ Z3 q/ `6 s
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5.違反法律、法規(guī)和國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)定。
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?。┯嘘P行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、檢測機構要協(xié)助行業(yè)主管部門做好本規(guī)范條件的實施和跟蹤監(jiān)督工作，組織企業(yè)加強協(xié)調(diào)和自律管理。
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八、附則% j) H7 l+ C y' o5 U
?。ㄒ唬┍疽?guī)范條件適用于中華人民共和國境內(nèi)（臺灣、香港、澳門地區(qū)除外）所有類型的光伏制造企業(yè)，本規(guī)范條件所指的光伏制造行業(yè)主要為光伏用多晶硅、硅棒、硅錠、硅片、電池、電池組件等制造行業(yè)。
點評：港澳臺是中國不可分割的一部份。臺灣目前還有大約10GW左右的電池產(chǎn)能。7 @, Y: f/ Q! n; _) I# C5 P q% B0 q
?。ǘ┍疽?guī)范條件涉及的法律法規(guī)、國家標準和行業(yè)政策若進行修訂，按修訂后的規(guī)定執(zhí)行。: }! Q6 K6 m4 J: J1 c
?。ㄈ┍疽?guī)范條件自發(fā)布之日起實施，由工業(yè)和信息化部負責解釋，并根據(jù)行業(yè)發(fā)展情況和宏觀調(diào)控要求會同有關部門適時進行修訂。原《多晶硅行業(yè)準入條件》（工聯(lián)電子[2010]第137號）同時廢止。
小結：雖然目前還是一份意見稿。如果不出意外，一些僵而不倒的中小企業(yè)將快速進入破產(chǎn)重組程序。
光伏的未來只有在不斷的降低成本中才能發(fā)展壯大，目前的成本相對于發(fā)電端平價上網(wǎng)還有距離。半導體產(chǎn)業(yè)七落七起才活下來為數(shù)不多的幾家廠商，才讓全球幾十億的人口用上手機和電腦，光伏替代常規(guī)能源的路還有很長遠。. s8 \& c9 b0 R
市場是殘酷的，眾多投資人看到了100%以上的暴利，“奮不顧身”的涌入了光伏，很感謝“先烈們”用七年左右的時間將光伏系統(tǒng)從70元/W降到7元/W,歷史終將記住你們對人類光伏事業(yè)做出的不可磨滅的貢獻。
一、生產(chǎn)布局與項目設立# R# i2 g8 J& q/ h* D3 J) T
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?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)及項目應符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護規(guī)劃等要求。
?。ǘ┰趪曳煞ㄒ?guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準的基本農(nóng)田保護區(qū)、飲用水水源保護區(qū)、自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、重要生態(tài)功能保護區(qū)和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設光伏制造項目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應逐步遷出。- @% z, M+ o+ T& j
?。ㄈ﹪栏窨刂菩律蠁渭償U大產(chǎn)能的光伏制造項目。對加強技術創(chuàng)新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴建項目，報行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。5 O4 J% t. b1 H& d* k: r3 J! V
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二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術; l# w4 \$ { }$ e L$ f
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應采用工藝先進、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術和設備。
?。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應具備以下條件：在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產(chǎn)品獨立生產(chǎn)、供應和售后服務能力；具有省級以上獨立研發(fā)機構、技術中心或高新技術企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報符合規(guī)范名單時上一年實際產(chǎn)量不低于本條第+ P9 R5 X( I' B
（三）款產(chǎn)能要求的50%。& C' u, z5 L. H |* T9 ]7 `
5 o7 h: }; k) Y H4 y. e
點評：要求年銷售額至少超過3.3億，按現(xiàn)在的價值相當于80MW組件，140MW的電池，6000萬張多晶硅片。
% [ H3 l. k2 Y6 O% g
?。ㄈ┕夥圃炱髽I(yè)按產(chǎn)品類型應分別滿足以下要求：
& O5 M% Z/ K4 c: z5 u/ P
1.多晶硅項目每期規(guī)模大于3000噸/年；
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2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；
6 D& S0 m) j& u+ V* r: G
3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；" q. c% a# s" T) d* F7 B
4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片；; U! x' w! f% p% z, r! c
5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；
" C) N/ s( r( A, F
6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；
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7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。
; u% @; {4 m# G% V+ H
點評：這些標準都是入門級的標準，在當前全球80GW的總產(chǎn)能，50GW有效產(chǎn)能，30GW的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)能，5-10GW的領先產(chǎn)能，而市場只有40GW的需求量，注定一批小規(guī)模，無技術的企業(yè)是很難存活下去的。
3 z( n; Q- l2 \1 E) W' J# j. y. f
即便剛剛達到這7條標準的企業(yè)，生存也非常困難。9 @" C. u/ g1 t
?。ㄋ模┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：
5 C1 h7 w& y' k/ n, n6 ^0 `
1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；
2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于10和18PPMA；! x1 @8 I7 i- r! @% g
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于16%和17%；; o2 V, k0 Y7 n- Q$ n- U8 t
/ S% e) |2 T/ Y3 }3 Q. q6 F8 |
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于14.5%和15.5%；/ M+ f( S" e& p/ b( u2 ]
5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。
3 [8 g4 D8 a' |+ M* C/ F
點評：就目前在開的產(chǎn)能來看，這些都是入門級的標準，多晶硅電池低于16%和單晶硅電池低于17%的電池產(chǎn)品已經(jīng)屬于低劣片，相當一部份是以廢品而論公斤售賣。
4 [1 E+ y( h: Z# Y# p
而組件轉換低于14.5%和15.5%多晶和單晶在市場上屬于少數(shù)產(chǎn)品，隨著充斥垃圾產(chǎn)品的“金太陽”項目的結束，這類產(chǎn)品將自動被市場淘汰。
?。ㄎ澹┬陆ê透臄U建企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：: }* Y# i% V0 H1 M; M2 q) R
1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；& y/ X2 y6 D9 K V+ i
0 p. _ B0 a+ u+ ]( u1 g9 c
2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18%和20%；5 |5 Z. y5 K9 f7 D9 p6 N+ D; P& l
/ r" q b. V) M
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。
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對于新建設的電池產(chǎn)線，18%和20%的多單晶的要求很正常，截止到2013年8月份市場上的主流多晶轉換已經(jīng)來到了17.5%左右，目前技術還將以每季度提升0.1%的速度提升，即便現(xiàn)在擴產(chǎn)新建，考慮一年左右的建設時期，明年的主流行業(yè)標準都將進入18%以上的水平。單晶20%以上技術目前國內(nèi)還是鮮有幾家企業(yè)可以大批量生產(chǎn)的。1 q! d" E' }3 Z5 z; c( D+ S4 L; Q
) }+ C# _) K( b$ B" i3 H7 k! @
組件的轉換效率相對而言是比較高的，多晶16.5%和單晶17.5%，以主流的60片156*156的電池片而言，其組件W數(shù)分別要達到270W和285W，目前國內(nèi)無任何一個大廠可以大批量生產(chǎn)?？梢姽ば挪繉π峦懂a(chǎn)的組件要求是非常高的，這就要求各企業(yè)除了對電池提升效率外，還要對邊框的使用和封裝技術的選擇以及增透膜等技術下苦功夫。
?。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率在2年內(nèi)分別不高于3.2%和4.2%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在2年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。* q0 H' K' v, z6 x' A1 T5 Y
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三、資源綜合利用及能耗3 B& A5 a* M5 ]* p4 r# O
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節(jié)約集約用地。) q3 p) I5 b. V
( B/ _- Z& m; E0 [$ T6 |, O
?。ǘ┕夥圃祉椖磕芎膽獫M足以下要求：0 ]' B6 T+ S, \# ~: [
1.現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于80千瓦時/千克，綜合電耗小于140千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于60千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；
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2.現(xiàn)有硅錠項目平均綜合能耗小于9千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克；7 @( `4 u! y" k% M7 u
3.現(xiàn)有硅棒項目平均綜合能耗小于50千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于45千瓦時/千克；# [7 \% ^# b0 G% c- ^5 a/ n
; J; A$ `6 ~$ z8 t
4.現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合能耗小于60萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于55萬千瓦時/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片；6 `. x% h: M) B+ v) }
5.電池項目平均綜合能耗小于15萬千瓦時/ MWp；7 H0 x6 ^* y2 ~. g% Y
& n3 ~; k$ q0 y8 s
6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于8萬千瓦時/ MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。4 o+ u- j, g" e, M6 @
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（三）光伏制造項目生產(chǎn)水耗應滿足以下要求：
4 R- v# c9 F! j9 j. t2 H$ g
1.多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%；
2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片；
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3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。
' _: K/ M: H( G; Q
?。ㄋ模┢渌a(chǎn)單耗需滿足國家相關標準。8 q+ K: P0 k; [3 v# g4 k0 i
' e5 X9 i5 N2 X( O2 K' r: ~/ j( S7 l
點評：這些都是一些現(xiàn)有的入門的標準，能耗高于此標準的在市場上根本無法生存，即便將一些老舊產(chǎn)線遷移到電價便宜的新疆內(nèi)蒙也無多少市場競爭力。3 f. u2 t( Q5 Z( ?2 c& J. `
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四、環(huán)境保護0 ?" o1 f; D, M& R: K3 p6 {
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?。ㄒ唬┬陆ê透臄U建光伏制造項目應嚴格執(zhí)行環(huán)境影響評價制度，未通過環(huán)境影響評價審批的項目不得開工建設。按照環(huán)境保護“三同時”要求，項目配套建設環(huán)境保護設施應依法申請項目竣工環(huán)境保護驗收，驗收合格后方可投入生產(chǎn)運行。企業(yè)應有健全的企業(yè)環(huán)境管理機構，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，定期開展清潔生產(chǎn)審核。
2 y8 z- {" x u5 q* D/ d Z4 ~0 U
?。ǘU氣、廢水排放應符合國家和地方大氣及水污染物排放標準和總量控制要求；惡臭污染物排放應符合《惡臭污染物排放標準》（GB14554），對產(chǎn)生的工業(yè)固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用，應符合《危險廢物貯存污染控制標準》（GB18597）和《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標準》（GB18559）相關要求，SiCl4等危險廢物應委托具備相應處理能力的有資質(zhì)單位進行妥善處置；廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準》（GB12348）。
?。ㄈ┕膭钇髽I(yè)通過ISO14001環(huán)境管理體系認證、ISO14064溫室氣體核證、PAS2050/ISO14067碳足跡認證。' ~ g* Q% W' S) O" ^
?。ㄋ模┕夥圃祉椖繎凑窄h(huán)境影響報告書（表）及其批復、國家或地方污染物排放（控制）標準、環(huán)境監(jiān)測技術規(guī)范的要求，制定自行監(jiān)測方案，開展自行監(jiān)測工作，公開自行監(jiān)測信息。% X |. J" e- h3 M R1 a9 h" j
五、質(zhì)量管理" a2 x& z! }! v9 w( l% Y
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?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應建立完善的質(zhì)量管理體系，配備質(zhì)量檢驗機構和專職檢驗人員。電池及電池組件生產(chǎn)企業(yè)應配備AAA級太陽模擬器、高低溫環(huán)境試驗箱等關鍵檢測設備，鼓勵企業(yè)建設具備CNAS認可資質(zhì)的實驗室。) {( |8 h- O3 h: V+ b
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?。ǘ┕夥a(chǎn)品質(zhì)量應符合國家相關標準，通過國家批準相關認證機構的認證。
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（三）企業(yè)應通過ISO9001質(zhì)量管理體系認證，組件使用壽命不低于25年，質(zhì)保期不少于10年。' P8 e9 g( y! r& S z6 Q- @8 K
（四）企業(yè)應建立相應的產(chǎn)品可追溯制度。
點評：根據(jù)對國外80年代生產(chǎn)的組件產(chǎn)品進行檢測，進行過良好過程控制的產(chǎn)品達到25年的質(zhì)保是沒有問題的。9 q# S w1 Z0 T, j# q! X6 D& h
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六、安全、衛(wèi)生和社會責任
?。ㄒ唬┕夥圃祉椖繎攪栏褡裱殬I(yè)病危害防護設施和安全設施“三同時”制度要求。企業(yè)應當遵守《安全生產(chǎn)法》、《職業(yè)病防治法》等法律法規(guī)，執(zhí)行保障安全生產(chǎn)的國家標準或行業(yè)標準，在申報規(guī)范名單當年及上一年度未發(fā)生較大及以上生產(chǎn)安全事故。
?。ǘ┢髽I(yè)應當建立健全安全生產(chǎn)責任制，加強職工安全生產(chǎn)教育培訓和隱患排查治理工作，開展安全生產(chǎn)標準化建設并達到三級以上。
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?。ㄈ┢髽I(yè)應當依法落實職業(yè)病危害防治措施，對重大危險源有檢測、評估、監(jiān)控措施和應急預案，并配備必要的器材和設備。! q$ g! V$ b5 k! \, U2 a0 q
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?。ㄋ模┢髽I(yè)應當遵守國家相關法律法規(guī)，依法參加養(yǎng)老、失業(yè)、醫(yī)療、工傷等各類保險，并為從業(yè)人員足額繳納相關保險費用。6 X* @' i; | |$ ]5 F) v
七、監(jiān)督與管理
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?。ㄒ唬┬陆ê透臄U建光伏制造企業(yè)及項目應當符合本規(guī)范條件要求。6 o) N0 Z3 S _/ F+ C
（二）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目應當符合本規(guī)范條件要求，未滿足規(guī)范條件要求的企業(yè)及項目根據(jù)產(chǎn)業(yè)轉型升級的要求，在國家產(chǎn)業(yè)政策的指導下，通過兼并重組、技術改造等方式，盡快達到本規(guī)范條件的要求。
點評：意見稿為技術改造留了一條口子，一批老舊設備產(chǎn)能通過技改挖潛后，在市場上還是有一定競爭力的。: D8 [( c5 L# s( V9 e/ a) v
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比如，單晶爐的多次投料技術，多晶爐的G5改G6，切片機的砂線液改金剛石等等。9 e; ?+ e$ ^2 ~! F% l
?。ㄈ夥圃炱髽I(yè)及項目的投資、土地供應、環(huán)評、節(jié)能評估、質(zhì)量監(jiān)督、安全監(jiān)管、信貸授信等管理應依據(jù)本規(guī)范條件。不符合本規(guī)范條件的企業(yè)及項目，其產(chǎn)品不得享受出口退稅、國內(nèi)應用扶持等政策支持。+ ]4 n5 K# o5 r! ~% t! u
?。ㄋ模┕夥圃炱髽I(yè)應對照規(guī)范條件編制相關申報材料，通過省級工業(yè)和信息化主管部門報送工業(yè)和信息化部。各級工業(yè)和信息化主管部門會同有關部門對當?shù)毓夥圃炱髽I(yè)執(zhí)行本規(guī)范條件的情況進行監(jiān)督檢查。工業(yè)和信息化部組織行業(yè)機構、檢測機構對企業(yè)進行檢查，定期公告符合本規(guī)范條件的企業(yè)名單，并會同有關部門組織行業(yè)機構、檢測機構從市場上對已公告企業(yè)產(chǎn)品等進行抽查，實行社會監(jiān)督、動態(tài)管理。' ? i( [& i/ z- C9 g
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（五）公告企業(yè)有下列情況，將撤銷其公告資格：
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1.填報資料有弄虛作假行為；0 B4 y% D% U5 S9 Y. u
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2.拒絕接受監(jiān)督檢查；; J0 Q, I6 a, H, J6 \
3.不能保持規(guī)范條件要求；
4.發(fā)生重大安全和污染責任事故；" b& i- K2 ]$ Z3 q/ `6 s
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5.違反法律、法規(guī)和國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)定。
, @6 a2 E0 M+ K
?。┯嘘P行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、檢測機構要協(xié)助行業(yè)主管部門做好本規(guī)范條件的實施和跟蹤監(jiān)督工作，組織企業(yè)加強協(xié)調(diào)和自律管理。
& D$ c2 Z; ^9 e. B: y' k
八、附則% j) H7 l+ C y' o5 U
?。ㄒ唬┍疽?guī)范條件適用于中華人民共和國境內(nèi)（臺灣、香港、澳門地區(qū)除外）所有類型的光伏制造企業(yè)，本規(guī)范條件所指的光伏制造行業(yè)主要為光伏用多晶硅、硅棒、硅錠、硅片、電池、電池組件等制造行業(yè)。
點評：港澳臺是中國不可分割的一部份。臺灣目前還有大約10GW左右的電池產(chǎn)能。7 @, Y: f/ Q! n; _) I# C5 P q% B0 q
?。ǘ┍疽?guī)范條件涉及的法律法規(guī)、國家標準和行業(yè)政策若進行修訂，按修訂后的規(guī)定執(zhí)行。: }! Q6 K6 m4 J: J1 c
?。ㄈ┍疽?guī)范條件自發(fā)布之日起實施，由工業(yè)和信息化部負責解釋，并根據(jù)行業(yè)發(fā)展情況和宏觀調(diào)控要求會同有關部門適時進行修訂。原《多晶硅行業(yè)準入條件》（工聯(lián)電子[2010]第137號）同時廢止。
小結：雖然目前還是一份意見稿。如果不出意外，一些僵而不倒的中小企業(yè)將快速進入破產(chǎn)重組程序。
光伏的未來只有在不斷的降低成本中才能發(fā)展壯大，目前的成本相對于發(fā)電端平價上網(wǎng)還有距離。半導體產(chǎn)業(yè)七落七起才活下來為數(shù)不多的幾家廠商，才讓全球幾十億的人口用上手機和電腦，光伏替代常規(guī)能源的路還有很長遠。. s8 \& c9 b0 R
市場是殘酷的，眾多投資人看到了100%以上的暴利，“奮不顧身”的涌入了光伏，很感謝“先烈們”用七年左右的時間將光伏系統(tǒng)從70元/W降到7元/W,歷史終將記住你們對人類光伏事業(yè)做出的不可磨滅的貢獻。
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